Podłoże SIC typu p 4H/6H-P 3C-N 4 cale 〈111〉± 0,5°Zero MPD

Krótki opis:

Podłoże SiC typu P 4H/6H-P 3C-N, 4 cale z orientacją 〈111〉± 0,5° i stopniem Zero MPD (Micro Pipe Defect) to wysokowydajny materiał półprzewodnikowy przeznaczony do zaawansowanej produkcji urządzeń elektronicznych. Znany ze swojej doskonałej przewodności cieplnej, wysokiego napięcia przebicia i dużej odporności na wysokie temperatury i korozję, ten substrat jest idealny do elektroniki mocy i zastosowań RF. Stopień Zero MPD gwarantuje minimalne defekty, zapewniając niezawodność i stabilność w urządzeniach o wysokiej wydajności. Jego precyzyjna orientacja 〈111〉± 0,5° umożliwia dokładne ustawienie podczas produkcji, dzięki czemu nadaje się do procesów produkcyjnych na dużą skalę. To podłoże jest szeroko stosowane w urządzeniach elektronicznych o wysokiej temperaturze, wysokim napięciu i wysokiej częstotliwości, takich jak przetworniki mocy, inwertery i komponenty RF.

Wyślij do nas e-mail

Szczegóły produktu

Tagi produktów

Podłoża kompozytowe SiC typu 4H/6H-P Tabela wspólnych parametrów

4 cal średnicy SilikonPodłoże węglikowe (SiC) Specyfikacja

Stopień			Produkcja zerowego MPD Ocena (Z) Stopień)	Standardowa produkcja Ocena (P Stopień)	Stopień manekina (D Stopień)
Średnica			99,5mm~100,0mm
Grubość			350 mikrometrów ± 25 mikrometrów
Orientacja wafli			Poza osią: 2,0°-4,0° w kierunku [112(-)0] ± 0,5° dla 4H/6H-P, OOś n:〈111〉± 0,5° dla 3C-N
Gęstość mikrorury			0cm-2
Oporność	typ p 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	typ n 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Podstawowa orientacja płaska		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Długość płaska podstawowa			32,5 mm ± 2,0 mm
Długość wtórna płaska			18,0 mm ± 2,0 mm
Druga orientacja płaska			Silikon wierzchni do góry: 90° CW. od Prime flat±5,0°
Wykluczenie krawędzi			3mm		6 mm
LTV/TTV/Łuk/Osnowa			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 mikrometr		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 mikrometr
Chropowatość			Polski Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Pęknięcia krawędzi spowodowane intensywnym światłem			Nic		Długość skumulowana ≤ 10 mm, długość pojedyncza ≤ 2 mm
Płytki sześciokątne z oświetleniem o wysokiej intensywności			Powierzchnia skumulowana ≤0,05%		Powierzchnia skumulowana ≤0,1%
Obszary politypu za pomocą światła o wysokiej intensywności			Nic		Łączna powierzchnia ≤3%
Widoczne wtrącenia węglowe			Powierzchnia skumulowana ≤0,05%		Łączna powierzchnia ≤3%
Zarysowania powierzchni krzemu spowodowane światłem o dużej intensywności			Nic		Całkowita długość ≤1×średnica wafla
Chipsy krawędziowe o wysokiej intensywności światła			Niedozwolone Szerokość i głębokość ≥0,2 mm		Dozwolone 5 sztuk, ≤1 mm każda
Zanieczyszczenie powierzchni krzemu przez wysoką intensywność			Nic
Opakowanie			Kaseta na wiele wafli lub pojemnik na pojedyncze wafle

Uwagi:

※Ograniczenia dotyczące wad dotyczą całej powierzchni płytki, z wyjątkiem obszaru wyłączonego z krawędzi. # Zadrapania należy sprawdzać tylko na powierzchni Si.

Podłoże SiC typu P 4H/6H-P 3C-N o średnicy 4 cali z orientacją 〈111〉± 0,5° i stopniem Zero MPD jest szeroko stosowane w wysokowydajnych zastosowaniach elektronicznych. Jego doskonała przewodność cieplna i wysokie napięcie przebicia sprawiają, że idealnie nadaje się do elektroniki mocy, takiej jak przełączniki wysokonapięciowe, inwertery i przetwornice mocy, pracujące w ekstremalnych warunkach. Ponadto odporność podłoża na wysokie temperatury i korozję zapewnia stabilną pracę w trudnych warunkach. Precyzyjna orientacja 〈111〉± 0,5° zwiększa dokładność produkcji, dzięki czemu nadaje się do urządzeń RF i zastosowań o wysokiej częstotliwości, takich jak systemy radarowe i sprzęt do komunikacji bezprzewodowej.

Zalety podłoży kompozytowych SiC typu N obejmują:

1. Wysoka przewodność cieplna: efektywne odprowadzanie ciepła, dzięki czemu urządzenie nadaje się do zastosowań w środowiskach o wysokiej temperaturze i w zastosowaniach o dużej mocy.
2. Wysokie napięcie przebicia: gwarantuje niezawodną pracę w zastosowaniach wysokonapięciowych, takich jak przetwornice napięcia i inwertery.
3. Klasa Zero MPD (Micro Pipe Defect): gwarantuje minimalną liczbę defektów, zapewniając stabilność i wysoką niezawodność krytycznych urządzeń elektronicznych.
4. Odporność na korozję: Wytrzymałość w trudnych warunkach gwarantuje długoterminową funkcjonalność w wymagających warunkach.
5. Precyzyjna orientacja 〈111〉± 0,5°: umożliwia dokładne ustawienie w trakcie produkcji, poprawiając wydajność urządzenia w zastosowaniach o wysokiej częstotliwości i RF.

Ogólnie rzecz biorąc, podłoże SiC typu P 4H/6H-P 3C-N o średnicy 4 cali z orientacją 〈111〉± 0,5° i stopniem Zero MPD to materiał o wysokiej wydajności, idealny do zaawansowanych zastosowań elektronicznych. Jego doskonała przewodność cieplna i wysokie napięcie przebicia sprawiają, że doskonale nadaje się do elektroniki mocy, takiej jak przełączniki wysokonapięciowe, inwertery i przetworniki. Stopień Zero MPD zapewnia minimalne defekty, zapewniając niezawodność i stabilność w urządzeniach krytycznych. Ponadto odporność podłoża na korozję i wysokie temperatury zapewnia trwałość w trudnych warunkach. Precyzyjna orientacja 〈111〉± 0,5° umożliwia dokładne ustawienie podczas produkcji, dzięki czemu doskonale nadaje się do urządzeń RF i zastosowań o wysokiej częstotliwości.