Podłoże SIC typu p 4H/6H-P 3C-N 4 cale 〈111〉± 0,5°Zero MPD
Podłoża kompozytowe SiC typu 4H/6H-P Tabela wspólnych parametrów
4 calowej średnicy krzemuPodłoże z węglika spiekanego (SiC) Specyfikacja
| Stopień | Produkcja zerowego MPD Stopień (Z Stopień) | Standardowa produkcja Ocena (P Stopień) | Stopień manekina (D Stopień) | ||
| Średnica | 99,5mm~100,0mm | ||||
| Grubość | 350 mikrometrów ± 25 mikrometrów | ||||
| Orientacja wafli | Poza osią: 2,0°-4,0° w kierunku [1120] ± 0,5° dla 4H/6H-P, OOś n:〈111〉± 0,5° dla 3C-N | ||||
| Gęstość mikrorury | 0cm-2 | ||||
| Oporność | typ p 4H/6H-P | ≤0,1 Ωꞏcm | ≤0,3 Ωꞏcm | ||
| typ n 3C-N | ≤0,8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Podstawowa orientacja płaska | 4H/6H-P | - {1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5,0° | ||||
| Długość płaska podstawowa | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Długość wtórna płaska | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Wtórna orientacja płaska | Silikon wierzchni do góry: 90° CW. od podłoża gruntowego±5,0° | ||||
| Wykluczenie krawędzi | 3mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Łuk/Osnowa | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 mikrometr | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 mikrometr | |||
| Chropowatość | Polski Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Pęknięcia krawędzi spowodowane światłem o dużej intensywności | Nic | Długość skumulowana ≤ 10 mm, długość pojedyncza ≤ 2 mm | |||
| Płyty sześciokątne światłem o wysokiej intensywności | Powierzchnia skumulowana ≤0,05% | Powierzchnia skumulowana ≤0,1% | |||
| Obszary politypu za pomocą światła o wysokiej intensywności | Nic | Łączna powierzchnia ≤3% | |||
| Widoczne wtrącenia węglowe | Powierzchnia skumulowana ≤0,05% | Łączna powierzchnia ≤3% | |||
| Zarysowania powierzchni krzemu spowodowane światłem o dużej intensywności | Nic | Całkowita długość ≤1לrednica wafla | |||
| Chipsy krawędziowe o wysokiej intensywności światła | Niedozwolone Szerokość i głębokość ≥0,2 mm | Dozwolone 5 sztuk, ≤1 mm każda | |||
| Zanieczyszczenie powierzchni krzemu przez wysoką intensywność | Nic | ||||
| Opakowanie | Kaseta na wiele wafli lub pojemnik na pojedyncze wafle | ||||
Uwagi:
※Ograniczenia dotyczące wad dotyczą całej powierzchni płytki, z wyjątkiem obszaru wyłączonego z krawędzi. # Zadrapania należy sprawdzać tylko na powierzchni Si.
Podłoże SiC typu P 4H/6H-P 3C-N o średnicy 4 cali z orientacją 〈111〉± 0,5° i stopniem Zero MPD jest szeroko stosowane w wysokowydajnych zastosowaniach elektronicznych. Jego doskonała przewodność cieplna i wysokie napięcie przebicia sprawiają, że idealnie nadaje się do elektroniki mocy, takiej jak przełączniki wysokonapięciowe, inwertery i przetwornice mocy, pracujące w ekstremalnych warunkach. Ponadto odporność podłoża na wysokie temperatury i korozję zapewnia stabilną pracę w trudnych warunkach. Precyzyjna orientacja 〈111〉± 0,5° zwiększa dokładność produkcji, dzięki czemu nadaje się do urządzeń RF i zastosowań o wysokiej częstotliwości, takich jak systemy radarowe i sprzęt do komunikacji bezprzewodowej.
Zalety podłoży kompozytowych SiC typu N obejmują:
1. Wysoka przewodność cieplna: efektywne odprowadzanie ciepła, dzięki czemu urządzenie nadaje się do zastosowań w środowiskach o wysokiej temperaturze i w zastosowaniach o dużej mocy.
2. Wysokie napięcie przebicia: gwarantuje niezawodną pracę w zastosowaniach wysokonapięciowych, takich jak przetwornice napięcia i inwertery.
3. Klasa Zero MPD (Micro Pipe Defect): gwarantuje minimalną liczbę defektów, zapewniając stabilność i wysoką niezawodność krytycznych urządzeń elektronicznych.
4. Odporność na korozję: Wytrzymałość w trudnych warunkach gwarantuje długoterminową funkcjonalność w wymagających warunkach.
5. Precyzyjna orientacja 〈111〉± 0,5°: umożliwia dokładne ustawienie w trakcie produkcji, poprawiając wydajność urządzenia w zastosowaniach o wysokiej częstotliwości i RF.
Ogólnie rzecz biorąc, podłoże SiC typu P 4H/6H-P 3C-N o średnicy 4 cali z orientacją 〈111〉± 0,5° i stopniem Zero MPD to materiał o wysokiej wydajności, idealny do zaawansowanych zastosowań elektronicznych. Jego doskonała przewodność cieplna i wysokie napięcie przebicia sprawiają, że doskonale nadaje się do elektroniki mocy, takiej jak przełączniki wysokonapięciowe, inwertery i przetworniki. Stopień Zero MPD zapewnia minimalne defekty, zapewniając niezawodność i stabilność w urządzeniach krytycznych. Ponadto odporność podłoża na korozję i wysokie temperatury zapewnia trwałość w trudnych warunkach. Precyzyjna orientacja 〈111〉± 0,5° umożliwia dokładne ustawienie podczas produkcji, dzięki czemu doskonale nadaje się do urządzeń RF i zastosowań o wysokiej częstotliwości.
Szczegółowy diagram
