typ p 4H/6H-P TYP 3C-N podłoże SIC 4 cale 〈111〉± 0,5° Zero MPD

Krótki opis:

Podłoże SiC typu P 4H/6H-P 3C-N, 4-calowe, o orientacji 〈111〉± 0,5° i gatunku Zero MPD (Micro Pipe Defect), to wysokowydajny materiał półprzewodnikowy przeznaczony do zaawansowanych urządzeń elektronicznych produkcja. Znane ze swojej doskonałej przewodności cieplnej, wysokiego napięcia przebicia i dużej odporności na wysokie temperatury i korozję, podłoże to jest idealne do zastosowań w energoelektronice i częstotliwościach radiowych. Klasa Zero MPD gwarantuje minimalne defekty, zapewniając niezawodność i stabilność w urządzeniach o wysokiej wydajności. Jego precyzyjna orientacja 〈111〉± 0,5° pozwala na dokładne ustawienie podczas produkcji, dzięki czemu nadaje się do procesów produkcyjnych na dużą skalę. Podłoże to jest szeroko stosowane w urządzeniach elektronicznych pracujących w wysokiej temperaturze, wysokim napięciu i wysokiej częstotliwości, takich jak konwertery mocy, falowniki i komponenty RF.

Wyślij e-mail do nas

Szczegóły produktu

Tagi produktów

Podłoża kompozytowe SiC typu 4H/6H-P Tabela wspólnych parametrów

4 średnica cala SilikonPodłoże z węglika (SiC). Specyfikacja

Stopień			Zerowa produkcja MPD Stopień (Z Stopień)	Produkcja standardowa Stopień (str Stopień)	Stopień fikcyjny (D Stopień)
Średnica			99,5 mm ~ 100,0 mm
Grubość			350 μm ± 25 μm
Orientacja wafla			Poza osią: 2,0°-4,0° w kierunku [112(-)0] ± 0,5° dla 4H/6H-P, Ooś n: 〈111〉± 0,5° dla 3C-N
Gęstość mikrorurki			0 cm-2
Oporność	typ p 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	typ n 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Podstawowa orientacja płaska		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Podstawowa długość płaska			32,5 mm ± 2,0 mm
Dodatkowa długość płaska			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientacja płaska wtórna			Silikon skierowany do góry: 90° CW. z mieszkania Prime±5,0°
Wykluczenie krawędzi			3 mm		6 mm
LTV/TTV/łuk/osnowa			≤2,5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 um		≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 um
Chropowatość			Polski Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Krawędzie pękają pod wpływem światła o dużej intensywności			Nic		Długość skumulowana ≤ 10 mm, długość pojedyncza ≤2 mm
Płytki sześciokątne światłem o wysokiej intensywności			Powierzchnia skumulowana ≤0,05%		Powierzchnia skumulowana ≤0,1%
Obszary wielotypowe przy świetle o dużej intensywności			Nic		Powierzchnia skumulowana ≤3%
Wizualne wtrącenia węgla			Powierzchnia skumulowana ≤0,05%		Powierzchnia skumulowana ≤3%
Zarysowania powierzchni krzemu pod wpływem światła o dużej intensywności			Nic		Długość skumulowana ≤1 × średnica płytki
Wióry krawędziowe wysokie pod wpływem intensywnego światła			Żadne nie jest dozwolone. Szerokość i głębokość ≥0,2 mm		Dopuszczalne 5, ≤1 mm każdy
Zanieczyszczenie powierzchni krzemu o dużej intensywności			Nic
Opakowanie			Kaseta z wieloma waflami lub pojedynczy pojemnik na wafle

Uwagi:

※ Limity defektów dotyczą całej powierzchni płytki z wyjątkiem obszaru wykluczenia krawędzi. # Zadrapania należy sprawdzać wyłącznie na powierzchni Si.

4-calowe podłoże SiC typu P 4H/6H-P 3C-N z orientacją 〈111〉± 0,5° i gatunkiem o zerowym MPD jest szeroko stosowane w wysokowydajnych zastosowaniach elektronicznych. Doskonała przewodność cieplna i wysokie napięcie przebicia sprawiają, że idealnie nadaje się do stosowania w elektronice mocy, takiej jak przełączniki wysokiego napięcia, falowniki i przetwornice mocy, pracujące w ekstremalnych warunkach. Dodatkowo odporność podłoża na wysokie temperatury i korozję zapewnia stabilną pracę w trudnych warunkach. Precyzyjna orientacja 〈111〉± 0,5° zwiększa dokładność produkcji, dzięki czemu nadaje się do urządzeń RF i zastosowań o wysokiej częstotliwości, takich jak systemy radarowe i sprzęt komunikacji bezprzewodowej.

Zalety podłoży kompozytowych SiC typu N obejmują:

1. Wysoka przewodność cieplna: Efektywne odprowadzanie ciepła, dzięki czemu nadaje się do środowisk o wysokiej temperaturze i zastosowań o dużej mocy.
2. Wysokie napięcie przebicia: Zapewnia niezawodną pracę w zastosowaniach wysokonapięciowych, takich jak przetwornice mocy i falowniki.
3. Stopień zerowego MPD (Micro Pipe Defect): gwarantuje minimalne defekty, zapewniając stabilność i wysoką niezawodność w krytycznych urządzeniach elektronicznych.
4. Odporność na korozję: Trwałość w trudnych warunkach, zapewniająca długoterminową funkcjonalność w wymagających warunkach.
5. Precyzyjna orientacja 〈111〉± 0,5°: umożliwia dokładne ustawienie podczas produkcji, poprawiając wydajność urządzenia w zastosowaniach o wysokiej częstotliwości i częstotliwościach radiowych.

Ogólnie rzecz biorąc, 4-calowe podłoże SiC typu P 4H/6H-P 3C-N o orientacji 〈111〉± 0,5° i gatunku Zero MPD jest materiałem o wysokiej wydajności, idealnym do zaawansowanych zastosowań elektronicznych. Doskonała przewodność cieplna i wysokie napięcie przebicia sprawiają, że idealnie nadaje się do stosowania w elektronice mocy, takiej jak przełączniki wysokiego napięcia, falowniki i konwertery. Klasa Zero MPD zapewnia minimalne defekty, zapewniając niezawodność i stabilność w krytycznych urządzeniach. Dodatkowo odporność podłoża na korozję i wysokie temperatury zapewnia trwałość w trudnych warunkach. Precyzyjna orientacja 〈111〉± 0,5° pozwala na dokładne ustawienie podczas produkcji, dzięki czemu doskonale nadaje się do urządzeń RF i zastosowań o wysokiej częstotliwości.