26 stycznia firma Power Cube Semi ogłosiła pomyślny rozwój pierwszego w Korei Południowej półprzewodnika MOSFET SiC (węglik krzemu) na napięcie 2300 V.
W porównaniu z istniejącymi półprzewodnikami na bazie Si (krzemu), SiC (węglik krzemu) może wytrzymać wyższe napięcia, dlatego jest okrzyknięty urządzeniem nowej generacji wyznaczającym przyszłość półprzewodników mocy.Służy jako kluczowy element niezbędny do wprowadzenia najnowocześniejszych technologii, takich jak rozpowszechnianie pojazdów elektrycznych i rozbudowa centrów danych napędzanych sztuczną inteligencją.
Power Cube Semi to firma bez fabryki, która opracowuje urządzenia półprzewodnikowe mocy w trzech głównych kategoriach: SiC (węglik krzemu), Si (krzem) i Ga2O3 (tlenek galu).Niedawno firma zastosowała i sprzedała wysokowydajne diody barierowe Schottky'ego (SBD) światowemu producentowi pojazdów elektrycznych w Chinach, zyskując uznanie dzięki swoim projektom i technologii półprzewodników.
Godne uwagi jest wypuszczenie na rynek tranzystora MOSFET SiC 2300 V jako pierwszego tego typu projektu w Korei Południowej.Infineon, globalny producent półprzewodników mocy z siedzibą w Niemczech, również ogłosił wprowadzenie na rynek w marcu swojego produktu na napięcie 2000 V, ale bez asortymentu produktów na napięcie 2300 V.
MOSFET CoolSiC firmy Infineon 2000 V, wykorzystujący pakiet TO-247PLUS-4-HCC, spełnia zapotrzebowanie projektantów na zwiększoną gęstość mocy, zapewniając niezawodność systemu nawet w rygorystycznych warunkach wysokiego napięcia i częstotliwości przełączania.
CoolSiC MOSFET oferuje wyższe napięcie łącza prądu stałego, umożliwiając zwiększenie mocy bez zwiększania prądu.Jest to pierwsze na rynku dyskretne urządzenie z węglika krzemu o napięciu przebicia 2000 V, wykorzystujące obudowę TO-247PLUS-4-HCC z drogą upływu 14 mm i prześwitem 5,4 mm.Urządzenia te charakteryzują się niskimi stratami przełączania i nadają się do zastosowań takich jak falowniki fotowoltaiczne, systemy magazynowania energii i ładowanie pojazdów elektrycznych.
Seria produktów CoolSiC MOSFET 2000 V jest odpowiednia dla systemów magistrali wysokiego napięcia DC do 1500 V DC.W porównaniu z MOSFET-em SiC 1700 V, urządzenie to zapewnia wystarczający margines przepięcia dla systemów 1500 V DC.CoolSiC MOSFET oferuje napięcie progowe 4,5 V i jest wyposażony w solidne diody korpusu do twardej komutacji.Dzięki technologii połączeń .XT komponenty te zapewniają doskonałą wydajność termiczną i dużą odporność na wilgoć.
Oprócz tranzystora MOSFET CoolSiC 2000 V firma Infineon wkrótce wprowadzi na rynek uzupełniające diody CoolSiC w 4-pinowych obudowach TO-247PLUS i TO-247-2, odpowiednio w trzecim kwartale 2024 r. i ostatnim kwartale 2024 r.Diody te nadają się szczególnie do zastosowań solarnych.Dostępne są również pasujące kombinacje sterowników bram.
Seria produktów CoolSiC MOSFET 2000V jest już dostępna na rynku.Ponadto Infineon oferuje odpowiednie płytki ewaluacyjne: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Programiści mogą wykorzystać tę płytkę jako precyzyjną ogólną platformę testową do oceny wszystkich tranzystorów MOSFET i diod CoolSiC o napięciu 2000 V, a także kompaktowego jednokanałowego sterownika bramki izolacyjnej EiceDRIVER z serii 1ED31xx w trybie podwójnego impulsu lub ciągłego PWM.
Gung Shin-soo, dyrektor ds. technologii w Power Cube Semi, stwierdził: „Udało nam się rozszerzyć nasze dotychczasowe doświadczenie w zakresie rozwoju i masowej produkcji tranzystorów MOSFET SiC 1700 V do napięcia 2300 V.
Czas publikacji: 8 kwietnia 2024 r