SiC typu N na podłożach kompozytowych Si o średnicy 6 cali

等级Stopień

Ty

P

D

Niski stopień BPD

Klasa produkcyjna

Stopień manekina

直径Średnica

150,0 mm±0,25 mm

厚度Grubość

500 μm±25 μm

晶片方向Orientacja wafli

Poza osią: 4,0° w kierunku < 11-20 > ±0,5° dla 4H-N Na osi: <0001>±0,5° dla 4H-SI

主定位边方向Mieszkanie główne

{10-10}±5,0°

主定位边长度Długość płaska podstawowa

47,5 mm±2,5 mm

边缘Wykluczenie krawędzi

3 mm

总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Łuk / Osnowa

≤15μm /≤40μm /≤60μm

微管密度和基面位错MPD&BPD

MPD≤1 cm-2

MPD≤5 cm-2

MPD≤15 cm-2

BPD≤1000cm-2

电阻率Oporność

≥1E5 Ω·cm

表面粗糙度Chropowatość

Polski Ra≤1 nm

CMP Ra≤0,5 nm

裂纹(强光灯观测) #

Nic

Łączna długość ≤10 mm, pojedyncza długość ≤2 mm

Pęknięcia spowodowane światłem o dużej intensywności

六方空洞 (强光灯观测)*

Powierzchnia skumulowana ≤1%

Łączna powierzchnia ≤5%

Płyty heksagonalne światłem o dużej intensywności

多型(强光灯观测)*

Nic

Łączna powierzchnia ≤5%

Obszary politypowe za pomocą światła o dużej intensywności

划痕(强光灯观测)*&

3 rysy na 1לrednicę płytki

5 rys na 1לrednicę wafla

Zadrapania spowodowane światłem o dużej intensywności

łączna długość

łączna długość

崩边# Odprysk krawędzi

Nic

5 dozwolonych, ≤1 mm każdy

表面污染物 (强光灯观测)

Nic

Zanieczyszczenie światłem o dużej intensywności