SiC typu N na podłożach kompozytowych Si Średnica 6 cali

等级Stopień

Ty

P

D

Niski stopień BPD

Stopień produkcyjny

Stopień fikcyjny

直径Średnica

150,0 mm±0,25 mm

厚度Grubość

500 μm ± 25 μm

晶片方向Orientacja wafla

Poza osią: 4,0° w kierunku < 11-20 > ±0,5° dla 4H-N Na osi: <0001>±0,5° dla 4H-SI

主定位边方向Mieszkanie pierwotne

{10-10}±5,0°

主定位边长度Podstawowa długość płaska

47,5 mm ± 2,5 mm

边缘Wykluczenie krawędzi

3 mm

总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Łuk / Osnowa

≤15μm /≤40μm /≤60μm

微管密度和基面位错MPD i BPD

MPD≤1 cm-2

MPD≤5 cm-2

MPD≤15 cm-2

BPD≤1000cm-2

电阻率Oporność

≥1E5 Ω·cm

表面粗糙度Chropowatość

Polski Ra≤1 nm

CMP Ra≤0,5 nm

裂纹(强光灯观测) #

Nic

Długość skumulowana ≤10 mm, długość pojedyncza ≤2 mm

Pęknięcia pod wpływem światła o dużym natężeniu

六方空洞 (强光灯观测)*

Powierzchnia skumulowana ≤1%

Powierzchnia skumulowana ≤5%

Płytki sześciokątne o dużym natężeniu światła

多型(强光灯观测)*

Nic

Powierzchnia skumulowana ≤5%

Obszary wielotypowe przy świetle o dużej intensywności

划痕(强光灯观测)*&

3 zadrapania na 1לrednicę płytki

5 zadrapań na 1לrednicę płytki

Zadrapania spowodowane światłem o dużym natężeniu

długość skumulowana

długość skumulowana

崩边# Chip krawędziowy

Nic

Dopuszczalne 5, ≤1 mm każdy

表面污染物 (强光灯观测)

Nic

Zanieczyszczenie światłem o dużej intensywności