Sztabki tantalanu litu LiTaO3 z domieszką Fe/Mg, dostosowane do czujników przemysłowych w rozmiarach 4, 6 i 8 cali

Sztabki tantalanu litu LiTaO3 z domieszką Fe/Mg dostosowane do czujników przemysłowych o wymiarach 4, 6 i 8 cali. Obraz wyróżniony

Krótki opis:

Sztabki LiTaO3 (sztabki tantalanu litu), jako materiały rdzeniowe dla półprzewodników szerokopasmowych trzeciej generacji i optoelektroniki, wykorzystują swoją wysoką temperaturę Curie (607°C), szeroki zakres przezroczystości (400–5200 nm), doskonały współczynnik sprzężenia elektromechanicznego (Kt² >15%) i niskie straty dielektryczne (tanδ <2%), które zrewolucjonizują komunikację 5G, komputery kwantowe i integrację fotoniczną. Dzięki zaawansowanym technologiom wytwarzania, takim jak fizyczny transport z fazy gazowej (PVT) i chemiczne osadzanie z fazy gazowej (CVD), dostarczamy wlewki cięte w kręgach X/Y/Z, cięte pod kątem 42°Y oraz okresowo polaryzowane (PPLT) o średnicach od 3 do 8 cali, charakteryzujące się gęstością mikrorurek <0,1 cm⁻² i gęstością dyslokacji <500 cm⁻². Nasze usługi obejmują domieszkowanie Fe/Mg, światłowody z wymianą protonów oraz heterogeniczną integrację (POI) na bazie krzemu, co przekłada się na wysokowydajne filtry optyczne, kwantowe źródła światła i detektory podczerwieni. Materiał ten przyczynia się do przełomu w miniaturyzacji, pracy z wysoką częstotliwością i stabilności termicznej, przyspieszając zastąpienie go w kraju i postęp technologiczny.

Wyślij do nas e-mail

Cechy

Parametry techniczne

Specyfikacja	Standardowy	Wysoka precyzja
Przybory	Płytki LiTaO3(LT)/ LiNbO3	Płytki LiTaO3(LT)/LiNbO3
Orientacja	X-112°Y,36°Y,42°Y±0,5°	X-112°Y,36°Y,42°Y±0,5°
Równoległy	30 cali	10''
Prostopadły	10′	5'
Jakość powierzchni	40/20	20/10
Zniekształcenie frontu fali	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Płaskość powierzchni	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Clear Aperture	>90%	>90%
Ścięcie	<0,2×45°	<0,2×45°
Tolerancja grubości/średnicy	±0,1 mm	±0,1 mm
Maksymalne wymiary	średnica 150×50mm	średnica 150×50mm

Usługi XKH

1. Produkcja wlewków na dużą skalę

Rozmiar i cięcie: wlewki o średnicy 3–8 cali z cięciami X/Y/Z, cięciami Y 42° i niestandardowymi cięciami kątowymi (tolerancja ±0,01°).

Kontrola domieszkowania: współdomieszkowanie Fe/Mg metodą Czochralskiego (zakres stężeń 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) w celu optymalizacji oporu fotorefrakcyjnego i stabilności termicznej.

2. Zaawansowane technologie procesowe

Integracja heterogeniczna: Kompozytowe płytki LiTaO3 na bazie krzemu (POI) o kontrolowanej grubości (300–600 nm) i przewodności cieplnej do 8,78 W/m·K do filtrów SAW o wysokiej częstotliwości.

Produkcja falowodów: Techniki wymiany protonów (PE) i odwrotnej wymiany protonów (RPE) pozwalające na uzyskanie falowodów submikronowych (Δn >0,7) dla szybkich modulatorów elektrooptycznych (pasmo >40 GHz).

3. Systemy zarządzania jakością

Badania kompleksowe: spektroskopia Ramana (weryfikacja politypu), XRD (krystaliczność), AFM (morfologia powierzchni) i badania jednorodności optycznej (Δn <5×10⁻⁵).

4. Wsparcie globalnego łańcucha dostaw

Zdolność produkcyjna: Miesięczna produkcja >5000 sztabek (8 cali: 70%), możliwość realizacji dostaw awaryjnych w ciągu 48 godzin.

Sieć logistyczna: zasięg w Europie, Ameryce Północnej i regionie Azji i Pacyfiku poprzez transport lotniczy/morski z wykorzystaniem opakowań wymagających kontrolowanej temperatury.

5. Współtworzenie techniczne

Wspólne laboratoria badawczo-rozwojowe: Współpraca w zakresie platform integracji fotonicznej (np. łączenie warstw SiO2 o niskich stratach).

Streszczenie

Sztabki LiTaO3 pełnią rolę strategicznych materiałów, które zmieniają oblicze optoelektroniki i technologii kwantowych. Dzięki innowacjom w zakresie wzrostu kryształów (np. PVT), minimalizacji defektów i integracji heterogenicznej (np. POI), dostarczamy niezawodne i ekonomiczne rozwiązania dla komunikacji 5G/6G, komputerów kwantowych i przemysłowego Internetu Rzeczy (IoT). Zaangażowanie XKH w rozwój redukcji defektów w sztabkach i skalowanie produkcji 8-calowych półprzewodników zapewnia klientom pozycję lidera w globalnych łańcuchach dostaw, napędzając nową erę ekosystemów półprzewodników szerokopasmowych.