Azotek galu (GaN) epitaksjalnie narastający na płytkach szafirowych 4- i 6-calowych do systemów MEMS
Właściwości GaN na płytkach szafirowych
●Wysoka wydajność:Urządzenia bazujące na GaN zapewniają pięciokrotnie większą moc niż urządzenia bazujące na krzemie, co przekłada się na poprawę wydajności w różnych zastosowaniach elektronicznych, w tym wzmacniania sygnałów RF i optoelektroniki.
●Szeroka przerwa pasmowa:Szeroki pasmo przenoszenia GaN zapewnia wysoką wydajność w podwyższonych temperaturach, dzięki czemu materiał ten idealnie nadaje się do zastosowań wymagających dużej mocy i wysokiej częstotliwości.
●Trwałość:Zdolność GaN do radzenia sobie z ekstremalnymi warunkami (wysokie temperatury i promieniowanie) gwarantuje długotrwałą wydajność w trudnych warunkach.
●Mały rozmiar:GaN umożliwia produkcję bardziej kompaktowych i lekkich urządzeń w porównaniu z tradycyjnymi materiałami półprzewodnikowymi, co pozwala na produkcję mniejszych i bardziej wydajnych układów elektronicznych.
Abstrakcyjny
Azotek galu (GaN) staje się preferowanym półprzewodnikiem w zaawansowanych zastosowaniach wymagających wysokiej mocy i wydajności, takich jak moduły front-end RF, szybkie systemy komunikacyjne i oświetlenie LED. Epitaksjalne płytki GaN, wytwarzane na podłożach szafirowych, oferują połączenie wysokiej przewodności cieplnej, wysokiego napięcia przebicia i szerokiej odpowiedzi częstotliwościowej, co jest kluczowe dla optymalnej wydajności w bezprzewodowych urządzeniach komunikacyjnych, radarach i zagłuszaczach. Płytki te są dostępne w średnicach 4 i 6 cali, z różnymi grubościami GaN, aby spełnić zróżnicowane wymagania techniczne. Unikalne właściwości GaN sprawiają, że jest to doskonały kandydat na przyszłość elektroniki mocy.
Parametry produktu
| Cechy produktu | Specyfikacja |
| Średnica wafla | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Podłoże | Szafir |
| Grubość warstwy GaN | 0,5 μm - 10 μm |
| Typ/domieszkowanie GaN | Typ N (typ P dostępny na życzenie) |
| Orientacja kryształu GaN | <0001> |
| Rodzaj polerowania | Polerowanie jednostronne (SSP), polerowanie dwustronne (DSP) |
| Grubość Al2O3 | 430 μm - 650 μm |
| TTV (Całkowita zmienność grubości) | ≤ 10 μm |
| Ukłon | ≤ 10 μm |
| Osnowa | ≤ 10 μm |
| Powierzchnia | Powierzchnia użytkowa > 90% |
Pytania i odpowiedzi
P1: Jakie są główne zalety stosowania GaN w porównaniu z tradycyjnymi półprzewodnikami na bazie krzemu?
A1GaN oferuje kilka istotnych zalet w porównaniu z krzemem, w tym szerszą przerwę energetyczną, co pozwala mu radzić sobie z wyższymi napięciami przebicia i wydajnie pracować w wyższych temperaturach. To sprawia, że GaN idealnie nadaje się do zastosowań o dużej mocy i wysokiej częstotliwości, takich jak moduły RF, wzmacniacze mocy i diody LED. Zdolność GaN do obsługi wyższych gęstości mocy umożliwia również tworzenie mniejszych i bardziej wydajnych urządzeń w porównaniu z alternatywami opartymi na krzemie.
P2: Czy GaN na waflach szafirowych można stosować w aplikacjach MEMS (mikrosystemów elektromechanicznych)?
A2Tak, GaN na waflach szafirowych nadaje się do zastosowań MEMS, szczególnie tam, gdzie wymagana jest wysoka moc, stabilność temperaturowa i niski poziom szumów. Trwałość i wydajność materiału w środowiskach o wysokiej częstotliwości sprawiają, że idealnie nadaje się on do urządzeń MEMS stosowanych w komunikacji bezprzewodowej, czujnikach i systemach radarowych.
P3: Jakie są potencjalne zastosowania GaN w komunikacji bezprzewodowej?
A3GaN jest szeroko stosowany w modułach front-end RF do komunikacji bezprzewodowej, w tym w infrastrukturze 5G, systemach radarowych i zagłuszaczach. Jego wysoka gęstość mocy i przewodność cieplna sprawiają, że idealnie nadaje się do urządzeń dużej mocy i wysokiej częstotliwości, umożliwiając lepszą wydajność i mniejsze wymiary w porównaniu z rozwiązaniami opartymi na krzemie.
P4: Jakie są terminy realizacji i minimalne ilości zamówień na GaN na waflach szafirowych?
A4: Czas realizacji zamówienia i minimalne ilości różnią się w zależności od rozmiaru płytki, grubości GaN i indywidualnych wymagań klienta. Prosimy o kontakt bezpośredni w celu uzyskania szczegółowych cen i dostępności na podstawie Państwa specyfikacji.
P5: Czy mogę uzyskać niestandardową grubość warstwy GaN lub poziom domieszkowania?
A5Tak, oferujemy dostosowanie grubości i poziomu domieszkowania GaN do konkretnych potrzeb aplikacji. Prosimy o podanie preferowanych specyfikacji, a my dostarczymy rozwiązanie dostosowane do Państwa potrzeb.
Szczegółowy diagram
