Azotek galu (GaN) epitaksjalnie hodowany na płytkach szafirowych 4 cale 6 cali dla MEMS
Właściwości GaN na waflach szafirowych
●Wysoka wydajność:Urządzenia na bazie GaN zapewniają pięć razy większą moc niż urządzenia bazujące na krzemie, co poprawia wydajność w różnych zastosowaniach elektronicznych, w tym we wzmacnianiu sygnałów RF i optoelektronice.
●Szeroka przerwa pasmowa:Szeroka przerwa energetyczna GaN umożliwia wysoką wydajność w podwyższonych temperaturach, dzięki czemu materiał ten idealnie nadaje się do zastosowań wymagających dużej mocy i wysokiej częstotliwości.
●Trwałość:Zdolność GaN do radzenia sobie w ekstremalnych warunkach (wysokie temperatury i promieniowanie) gwarantuje długotrwałą wydajność w trudnych warunkach.
●Mały rozmiar:GaN umożliwia produkcję bardziej kompaktowych i lekkich urządzeń w porównaniu z tradycyjnymi materiałami półprzewodnikowymi, co pozwala na produkcję mniejszych i bardziej wydajnych urządzeń elektronicznych.
Abstrakcyjny
Azotek galu (GaN) wyłania się jako półprzewodnik pierwszego wyboru dla zaawansowanych zastosowań wymagających dużej mocy i wydajności, takich jak moduły front-end RF, szybkie systemy komunikacyjne i oświetlenie LED. Epitaksjalne płytki GaN, gdy są hodowane na podłożach szafirowych, oferują połączenie wysokiej przewodności cieplnej, wysokiego napięcia przebicia i szerokiej odpowiedzi częstotliwościowej, które są kluczowe dla optymalnej wydajności w urządzeniach komunikacji bezprzewodowej, radarach i zagłuszaczach. Te płytki są dostępne w średnicach 4 i 6 cali, z różnymi grubościami GaN, aby spełnić różne wymagania techniczne. Unikalne właściwości GaN sprawiają, że jest to główny kandydat na przyszłość elektroniki mocy.
Parametry produktu
| Cechy produktu | Specyfikacja |
| Średnica wafla | 50mm, 100mm, 50,8mm |
| Podłoże | Szafir |
| Grubość warstwy GaN | 0,5 μm - 10 μm |
| Typ GaN/domieszkowanie | Typ N (typ P dostępny na życzenie) |
| Orientacja kryształu GaN | <0001> |
| Typ polerowania | Jednostronnie polerowane (SSP), Dwustronnie polerowane (DSP) |
| Grubość Al2O3 | 430 μm - 650 μm |
| TTV (Całkowita zmienność grubości) | ≤ 10 μm |
| Ukłon | ≤ 10 μm |
| Osnowa | ≤ 10 μm |
| Powierzchnia | Powierzchnia użytkowa > 90% |
Pytania i odpowiedzi
P1: Jakie są główne zalety stosowania GaN w porównaniu z tradycyjnymi półprzewodnikami na bazie krzemu?
A1:GaN oferuje kilka istotnych zalet w porównaniu z krzemem, w tym szerszą przerwę pasmową, która pozwala mu obsługiwać wyższe napięcia przebicia i wydajnie pracować w wyższych temperaturach. Dzięki temu GaN idealnie nadaje się do zastosowań o dużej mocy i wysokiej częstotliwości, takich jak moduły RF, wzmacniacze mocy i diody LED. Zdolność GaN do obsługi wyższych gęstości mocy umożliwia również mniejsze i wydajniejsze urządzenia w porównaniu z alternatywami opartymi na krzemie.
P2: Czy GaN na waflach szafirowych można stosować w zastosowaniach MEMS (mikroelektromechanicznych systemów)?
A2: Tak, GaN na waflach szafirowych nadaje się do zastosowań MEMS, szczególnie tam, gdzie wymagana jest duża moc, stabilność temperatury i niski poziom szumów. Trwałość i wydajność materiału w środowiskach o wysokiej częstotliwości sprawiają, że idealnie nadaje się do urządzeń MEMS stosowanych w komunikacji bezprzewodowej, czujnikach i systemach radarowych.
P3: Jakie są potencjalne zastosowania GaN w komunikacji bezprzewodowej?
A3:GaN jest szeroko stosowany w modułach RF front-end do komunikacji bezprzewodowej, w tym w infrastrukturze 5G, systemach radarowych i zagłuszaczach. Jego wysoka gęstość mocy i przewodność cieplna sprawiają, że doskonale nadaje się do urządzeń o dużej mocy i wysokiej częstotliwości, umożliwiając lepszą wydajność i mniejsze współczynniki kształtu w porównaniu z rozwiązaniami opartymi na krzemie.
P4: Jakie są terminy realizacji i minimalne ilości zamówień na GaN na waflach szafirowych?
A4: Czas realizacji zamówienia i minimalne ilości zamówień różnią się w zależności od rozmiaru wafla, grubości GaN i konkretnych wymagań klienta. Skontaktuj się z nami bezpośrednio, aby uzyskać szczegółowe ceny i dostępność na podstawie Twoich specyfikacji.
P5: Czy mogę uzyskać niestandardową grubość warstwy GaN lub poziom domieszkowania?
A5: Tak, oferujemy dostosowanie grubości GaN i poziomów domieszkowania do konkretnych potrzeb aplikacji. Prosimy o podanie żądanych specyfikacji, a my dostarczymy dostosowane rozwiązanie.
Szczegółowy diagram
