8-calowe podłoże waflowe SiC klasy produkcyjnej 4H-N SiC

8-calowy wafel SiC klasy produkcyjnej Podłoże 4H-N SiC Obraz wyróżniony

Krótki opis:

8-calowe podłoża SiC są stosowane w urządzeniach elektronicznych dużej mocy, takich jak tranzystory polowe MOSFET mocy (tranzystory polowe z tlenkiem metalu), diody Schottky'ego i inne urządzenia półprzewodnikowe mocy.

Wyślij e-mail do nas

Szczegóły produktu

Tagi produktów

Poniższa tabela przedstawia specyfikacje naszych 8-calowych płytek SiC:

Dane techniczne 8-calowego SiC DSP typu N
Numer	Przedmiot	Jednostka	Produkcja	Badania	Atrapa
1: parametry
1.1	polityp	--	4H	4H	4H
1.2	orientacja powierzchniowa	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2: Parametr elektryczny
2.1	domieszka	--	Azot typu n	Azot typu n	Azot typu n
2.2	oporność	om · cm	0,015 ~ 0,025	0,01 ~ 0,03	NA
3: Parametr mechaniczny
3.1	średnica	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	grubość	um	500±25	500±25	500±25
3.3	Orientacja wycięcia	°	[1-100]±5	[1-100]±5	[1-100]±5
3.4	Głębokość wycięcia	mm	1 ~ 1,5	1 ~ 1,5	1 ~ 1,5
3.5	LTV	um	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	TTV	um	≤10	≤10	≤15
3.7	Ukłon	um	-25 ~ 25	-45~45	-65 ~ 65
3.8	Osnowa	um	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4: Struktura
4.1	gęstość mikrorurki	szt./cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	zawartość metalu	atomy/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	szt./cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	szt./cm2	≤2000	≤5000	NA
4,5	PRZETRZĄSAĆ	szt./cm2	≤7000	≤10000	NA
5. Jakość przodu
5.1	przód	--	Si	Si	Si
5.2	wykończenie powierzchni	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	cząstka	szt./wafel	≤100 (rozmiar ≥0,3μm)	NA	NA
5.4	zadrapanie	szt./wafel	≤5, długość całkowita ≤200 mm	NA	NA
5.5	Krawędź wióry/wcięcia/pęknięcia/plamy/zanieczyszczenia	--	Nic	Nic	NA
5.6	Obszary politypowe	--	Nic	Powierzchnia ≤10%	Powierzchnia ≤30%
5.7	oznaczenie z przodu	--	Nic	Nic	Nic
6: Jakość pleców
6.1	wykończenie tyłu	--	MP z twarzą C	MP z twarzą C	MP z twarzą C
6.2	zadrapanie	mm	NA	NA	NA
6.3	Uszkodzona krawędź grzbietu chipy/wcięcia	--	Nic	Nic	NA
6.4	Szorstkość pleców	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6,5	Oznaczenie tyłu	--	Karb	Karb	Karb
7:krawędź
7.1	krawędź	--	Ścięcie	Ścięcie	Ścięcie
8: Pakiet
8.1	opakowanie	--	Gotowy do epi z próżnią opakowanie	Gotowy do epi z próżnią opakowanie	Gotowy do epi z próżnią opakowanie
8.2	opakowanie	--	Wielowarstwowe opakowanie kasetowe	Wielowarstwowe opakowanie kasetowe	Wielowarstwowe opakowanie kasetowe