8-calowy 200-milimetrowy 4H-N SiC Wafer przewodzący, klasa badawcza

8-calowy 200-milimetrowy wafel SiC 4H-N, przewodzący, testowy, obraz wyróżniony

Krótki opis:

Wraz z rozwojem rynków transportu, energetyki i przemysłu, popyt na niezawodną i wydajną elektronikę mocy stale rośnie. Aby sprostać zapotrzebowaniu na lepszą wydajność półprzewodników, producenci urządzeń poszukują materiałów półprzewodnikowych o szerokiej przerwie energetycznej, takich jak nasza oferta płytek z węglika krzemu (SiC) 4H klasy Prime Grade typu n.

Wyślij do nas e-mail

Cechy

Ze względu na swoje unikalne właściwości fizyczne i elektroniczne, materiał półprzewodnikowy SiC o średnicy 200 mm jest wykorzystywany do tworzenia wysokowydajnych, wysokotemperaturowych, odpornych na promieniowanie i wysokoczęstotliwościowych urządzeń elektronicznych. Cena 8-calowego podłoża SiC stopniowo spada wraz z rozwojem technologii i wzrostem popytu. Ostatnie osiągnięcia technologiczne prowadzą do masowej produkcji 200-milimetrowych wafli SiC. Główne zalety materiałów półprzewodnikowych SiC w porównaniu z waflami Si i GaAs: Natężenie pola elektrycznego 4H-SiC podczas przebicia lawinowego jest o ponad rząd wielkości wyższe niż odpowiadające mu wartości dla Si i GaAs. Prowadzi to do znacznego zmniejszenia rezystywności w stanie włączenia Ron. Niska rezystywność w stanie włączenia, w połączeniu z wysoką gęstością prądu i przewodnością cieplną, pozwala na stosowanie bardzo małych matryc do urządzeń mocy. Wysoka przewodność cieplna SiC zmniejsza rezystancję cieplną układu. Właściwości elektroniczne urządzeń opartych na płytkach SiC są bardzo stabilne w czasie i pod wpływem temperatury, co zapewnia wysoką niezawodność produktów. Węglik krzemu jest wyjątkowo odporny na promieniowanie twarde, które nie pogarsza właściwości elektronicznych układu. Wysoka graniczna temperatura pracy kryształu (ponad 6000°C) pozwala na tworzenie wysoce niezawodnych urządzeń do trudnych warunków pracy i zastosowań specjalnych. Obecnie jesteśmy w stanie dostarczać płytki SiC o grubości 200 mm w sposób ciągły i ciągły, a niektóre partie są dostępne w magazynie.

Specyfikacja

Numer	Przedmiot	Jednostka	Produkcja	Badania	Atrapa
1. Parametry
1.1	polityp	--	4H	4H	4H
1.2	orientacja powierzchni	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2. Parametry elektryczne
2.1	domieszka	--	Azot typu n	Azot typu n	Azot typu n
2.2	oporność	om ·cm	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3. Parametr mechaniczny
3.1	średnica	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	grubość	mikrometr	500±25	500±25	500±25
3.3	Orientacja nacięcia	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Głębokość wcięcia	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	Wskaźnik LTV	mikrometr	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	Telewizja	mikrometr	≤10	≤10	≤15
3.7	Ukłon	mikrometr	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Osnowa	mikrometr	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4. Struktura
4.1	gęstość mikrorury	szt./cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	zawartość metalu	atomy/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	szt./cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	szt./cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	PRZETRZĄSAĆ	szt./cm2	≤7000	≤10000	NA
5. Jakość pozytywna
5.1	przód	--	Si	Si	Si
5.2	wykończenie powierzchni	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	cząstka	każdy/wafel	≤100 (rozmiar ≥0,3μm)	NA	NA
5.4	zadrapanie	każdy/wafel	≤5, Długość całkowita ≤200 mm	NA	NA
5.5	Krawędź odpryski/wgniecenia/pęknięcia/plamy/zanieczyszczenia	--	Nic	Nic	NA
5.6	Obszary politypowe	--	Nic	Powierzchnia ≤10%	Powierzchnia ≤30%
5.7	oznaczenie z przodu	--	Nic	Nic	Nic
6. Jakość pleców
6.1	wykończenie z tyłu	--	MP z twarzą C	MP z twarzą C	MP z twarzą C
6.2	zadrapanie	mm	NA	NA	NA
6.3	Krawędź wady tylnej odpryski/wgniecenia	--	Nic	Nic	NA
6.4	Szorstkość pleców	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6,5	Oznaczenie z tyłu	--	Karb	Karb	Karb
7. Krawędź
7.1	krawędź	--	Ścięcie	Ścięcie	Ścięcie
8. Opakowanie
8.1	Opakowanie	--	Epi-gotowy z próżnią Opakowanie	Epi-gotowy z próżnią Opakowanie	Epi-gotowy z próżnią Opakowanie
8.2	Opakowanie	--	Wielopłatowiec opakowanie kasetowe	Wielopłatowiec opakowanie kasetowe	Wielopłatowiec opakowanie kasetowe