8-calowy 200-milimetrowy 4H-N SiC Wafer przewodzący, klasa badawcza

Ze względu na swoje unikalne właściwości fizyczne i elektroniczne, półprzewodnikowy materiał waflowy SiC o średnicy 200 mm jest stosowany do tworzenia wysokowydajnych, wysokotemperaturowych, odpornych na promieniowanie i wysokoczęstotliwościowych urządzeń elektronicznych. Cena 8-calowego podłoża SiC stopniowo spada, ponieważ technologia staje się bardziej zaawansowana, a popyt rośnie. Ostatnie osiągnięcia technologiczne prowadzą do produkcji na skalę produkcyjną 200-milimetrowych wafli SiC. Główne zalety półprzewodnikowych materiałów waflowych SiC w porównaniu z waflami Si i GaAs: Siła pola elektrycznego 4H-SiC podczas przebicia lawinowego jest o rząd wielkości wyższa niż odpowiadające jej wartości dla Si i GaAs. Prowadzi to do znacznego zmniejszenia rezystywności w stanie włączonym Ron. Niska rezystywność w stanie włączonym, w połączeniu z wysoką gęstością prądu i przewodnością cieplną, pozwala na stosowanie bardzo małych układów scalonych do urządzeń mocy. Wysoka przewodność cieplna SiC zmniejsza rezystancję cieplną układu scalonego. Właściwości elektroniczne urządzeń na bazie płytek SiC są bardzo stabilne w czasie i stabilne pod względem temperatury, co zapewnia wysoką niezawodność produktów. Węglik krzemu jest niezwykle odporny na twarde promieniowanie, które nie pogarsza właściwości elektronicznych układu. Wysoka graniczna temperatura robocza kryształu (ponad 6000C) pozwala na tworzenie wysoce niezawodnych urządzeń do trudnych warunków pracy i specjalnych zastosowań. Obecnie możemy dostarczać małe partie płytek SiC o średnicy 200 mm w sposób ciągły i ciągły oraz mamy pewne zapasy w magazynie.