8-calowy 200 mm 4H-N SiC Wafel przewodzący, gatunek badawczy

8-calowy 200 mm 4H-N SiC Wafel przewodzący manekin klasy badawczej Wyróżniony obraz

Krótki opis:

Wraz z ewolucją rynków transportowych, energetycznych i przemysłowych zapotrzebowanie na niezawodną elektronikę mocy o wysokiej wydajności stale rośnie. Aby sprostać wymaganiom w zakresie lepszej wydajności półprzewodników, producenci urządzeń poszukują materiałów półprzewodnikowych o szerokiej przerwie energetycznej, takich jak nasza oferta płytek 4H SiC Prime Grade z węglika krzemu (SiC) typu 4H n.

Wyślij e-mail do nas

Szczegóły produktu

Tagi produktów

Ze względu na swoje unikalne właściwości fizyczne i elektroniczne, półprzewodnikowy materiał półprzewodnikowy SiC o grubości 200 mm jest używany do tworzenia urządzeń elektronicznych o wysokiej wydajności, odpornych na wysoką temperaturę, promieniowanie i wysoką częstotliwość. Cena 8-calowego podłoża SiC stopniowo maleje wraz ze wzrostem zaawansowania technologii i wzrostem popytu. Najnowsze osiągnięcia technologiczne doprowadziły do produkcji płytek SiC na skalę produkcyjną o średnicy 200 mm. Główne zalety płytek półprzewodnikowych SiC w porównaniu z płytkami Si i GaAs: Natężenie pola elektrycznego 4H-SiC podczas załamania lawinowego jest o ponad rząd wielkości wyższe niż odpowiadające im wartości dla Si i GaAs. Prowadzi to do znacznego spadku rezystywności Ron w stanie włączenia. Niska rezystywność w stanie włączenia w połączeniu z dużą gęstością prądu i przewodnością cieplną pozwala na zastosowanie bardzo małych matryc do urządzeń zasilających. Wysoka przewodność cieplna SiC zmniejsza opór cieplny chipa. Właściwości elektroniczne urządzeń opartych na płytkach SiC są bardzo stabilne w czasie i stabilne temperaturowo, co zapewnia wysoką niezawodność produktów. Węglik krzemu jest wyjątkowo odporny na promieniowanie twarde, co nie pogarsza właściwości elektronicznych chipa. Wysoka graniczna temperatura pracy kryształu (ponad 6000C) pozwala na tworzenie wysoce niezawodnych urządzeń do trudnych warunków pracy i zastosowań specjalnych. Obecnie możemy stale i nieprzerwanie dostarczać małe partie płytek 200 mmSiC i posiadać zapasy w magazynie.

Specyfikacja

Numer	Przedmiot	Jednostka	Produkcja	Badania	Atrapa
1. Parametry
1.1	polityp	--	4H	4H	4H
1.2	orientacja powierzchniowa	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2. Parametr elektryczny
2.1	domieszka	--	Azot typu n	Azot typu n	Azot typu n
2.2	oporność	om · cm	0,015 ~ 0,025	0,01 ~ 0,03	NA
3. Parametr mechaniczny
3.1	średnica	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	grubość	um	500±25	500±25	500±25
3.3	Orientacja wycięcia	°	[1-100]±5	[1-100]±5	[1-100]±5
3.4	Głębokość wycięcia	mm	1 ~ 1,5	1 ~ 1,5	1 ~ 1,5
3.5	LTV	um	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	TTV	um	≤10	≤10	≤15
3.7	Ukłon	um	-25 ~ 25	-45~45	-65 ~ 65
3.8	Osnowa	um	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4. Struktura
4.1	gęstość mikrorurki	szt./cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	zawartość metalu	atomy/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	szt./cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	szt./cm2	≤2000	≤5000	NA
4,5	PRZETRZĄSAĆ	szt./cm2	≤7000	≤10000	NA
5. Pozytywna jakość
5.1	przód	--	Si	Si	Si
5.2	wykończenie powierzchni	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	cząstka	szt./wafel	≤100 (rozmiar ≥0,3μm)	NA	NA
5.4	zadrapanie	szt./wafel	≤5, długość całkowita ≤200 mm	NA	NA
5.5	Krawędź wióry/wcięcia/pęknięcia/plamy/zanieczyszczenia	--	Nic	Nic	NA
5.6	Obszary politypowe	--	Nic	Powierzchnia ≤10%	Powierzchnia ≤30%
5.7	oznaczenie z przodu	--	Nic	Nic	Nic
6. Jakość pleców
6.1	wykończenie tyłu	--	MP z twarzą C	MP z twarzą C	MP z twarzą C
6.2	zadrapanie	mm	NA	NA	NA
6.3	Uszkodzona krawędź grzbietu chipy/wcięcia	--	Nic	Nic	NA
6.4	Szorstkość pleców	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6,5	Oznaczenie tyłu	--	Karb	Karb	Karb
7. Krawędź
7.1	krawędź	--	Ścięcie	Ścięcie	Ścięcie
8. Pakiet
8.1	opakowanie	--	Gotowy do epi z próżnią opakowanie	Gotowy do epi z próżnią opakowanie	Gotowy do epi z próżnią opakowanie
8.2	opakowanie	--	Wielowarstwowe opakowanie kasetowe	Wielowarstwowe opakowanie kasetowe	Wielowarstwowe opakowanie kasetowe