6-calowe 150-milimetrowe płytki węglika krzemu SiC typu 4H-N do badań produkcyjnych MOS lub SBD oraz do zastosowań pozornych

6-calowe 150-milimetrowe płytki węglika krzemu SiC typu 4H-N do badań produkcyjnych MOS lub SBD i klasy atrapy. Obraz wyróżniony

Krótki opis:

6-calowe monokrystaliczne podłoże z węglika krzemu to materiał o wysokiej wydajności i doskonałych właściwościach fizycznych i chemicznych. Wykonane z monokrystalicznego materiału z węglika krzemu o wysokiej czystości, charakteryzuje się doskonałą przewodnością cieplną, stabilnością mechaniczną i odpornością na wysokie temperatury. To podłoże, wykonane z wykorzystaniem precyzyjnych procesów produkcyjnych i wysokiej jakości materiałów, stało się preferowanym materiałem do produkcji wysokowydajnych urządzeń elektronicznych w różnych dziedzinach.

Wyślij do nas e-mail

Cechy

Pola zastosowań

6-calowe monokrystaliczne podłoże z węglika krzemu odgrywa kluczową rolę w wielu gałęziach przemysłu. Po pierwsze, jest szeroko stosowane w przemyśle półprzewodnikowym do produkcji urządzeń elektronicznych dużej mocy, takich jak tranzystory mocy, układy scalone i moduły mocy. Jego wysoka przewodność cieplna i odporność na wysokie temperatury umożliwiają lepsze odprowadzanie ciepła, co przekłada się na lepszą wydajność i niezawodność. Po drugie, wafle z węglika krzemu są niezbędne w badaniach naukowych, w celu rozwoju nowych materiałów i urządzeń. Ponadto, wafle z węglika krzemu znajdują szerokie zastosowanie w optoelektronice, w tym w produkcji diod LED i diod laserowych.

Specyfikacja produktu

6-calowe podłoże z monokrystalicznego węglika krzemu ma średnicę 6 cali (około 152,4 mm). Chropowatość powierzchni wynosi Ra < 0,5 nm, a grubość 600 ± 25 μm. Podłoże może być dostosowane do przewodności typu N lub P, w zależności od wymagań klienta. Ponadto charakteryzuje się wyjątkową stabilnością mechaniczną, wytrzymując ciśnienie i wibracje.

Średnica		150±2,0 mm (6 cali)
Grubość		350 μm±25 μm
Orientacja		Na osi: <0001>±0,5°		Poza osią: 4,0° w kierunku 1120±0,5°
Polityp		4H
Rezystywność (Ω·cm)	4H-N	0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025 om·cm
	4/6H-SI	>1E5
Podstawowa orientacja płaska		{10-10}±5,0°
Długość płaszczyzny pierwotnej (mm)		47,5 mm±2,5 mm
Krawędź		Ścięcie
TTV/Łuk/Osnowa (um)		≤15 /≤40 /≤60
Przód AFM (Si-face)		Polski Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,5 nm
Wskaźnik LTV		≤3μm(10mm*10mm)	≤5μm(10mm*10mm)		≤10μm(10mm*10mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Skórka pomarańczowa/pestki/pęknięcia/zanieczyszczenia/plamy/prążki		Nic	Nic		Nic
wcięcia		Nic	Nic		Nic

6-calowe monokrystaliczne podłoże z węglika krzemu to wysokowydajny materiał, szeroko stosowany w przemyśle półprzewodnikowym, badawczym i optoelektronicznym. Oferuje doskonałą przewodność cieplną, stabilność mechaniczną i odporność na wysokie temperatury, dzięki czemu doskonale nadaje się do produkcji urządzeń elektronicznych dużej mocy oraz badań nad nowymi materiałami. Oferujemy różnorodne specyfikacje i opcje personalizacji, aby sprostać zróżnicowanym potrzebom klientów.Skontaktuj się z nami, aby uzyskać więcej szczegółów na temat płytek z węglika krzemu!