6-calowe płytki z węglika krzemu SiC o średnicy 150 mm typu 4H-N do badań produkcyjnych MOS lub SBD i klas obojętnych

6-calowe płytki SiC z węglika krzemu o średnicy 150 mm, typu 4H-N, do badań produkcyjnych MOS lub SBD oraz do wersji obojętnych

Krótki opis:

6-calowe podłoże monokrystaliczne z węglika krzemu jest materiałem o wysokiej wydajności i doskonałych właściwościach fizycznych i chemicznych. Wykonany z monokrystalicznego węglika krzemu o wysokiej czystości, wykazuje doskonałą przewodność cieplną, stabilność mechaniczną i odporność na wysoką temperaturę. Podłoże to, wykonane w precyzyjnych procesach produkcyjnych i z wysokiej jakości materiałów, stało się preferowanym materiałem do produkcji wysokowydajnych urządzeń elektronicznych w różnych dziedzinach.

Wyślij e-mail do nas

Szczegóły produktu

Tagi produktów

Pola aplikacji

6-calowe podłoże monokrystaliczne z węglika krzemu odgrywa kluczową rolę w wielu gałęziach przemysłu. Po pierwsze, jest szeroko stosowany w przemyśle półprzewodników do produkcji urządzeń elektronicznych dużej mocy, takich jak tranzystory mocy, układy scalone i moduły mocy. Wysoka przewodność cieplna i odporność na wysoką temperaturę umożliwiają lepsze odprowadzanie ciepła, co skutkuje lepszą wydajnością i niezawodnością. Po drugie, płytki z węglika krzemu są niezbędne w dziedzinach badań nad rozwojem nowych materiałów i urządzeń. Dodatkowo płytka z węglika krzemu znajduje szerokie zastosowanie w optoelektronice, m.in. w produkcji diod LED i diod laserowych.

Specyfikacje produktu

6-calowe podłoże monokrystaliczne z węglika krzemu ma średnicę 6 cali (około 152,4 mm). Chropowatość powierzchni wynosi Ra < 0,5 nm, a grubość 600 ± 25 μm. Podłoże można dostosować pod kątem przewodności typu N lub P, w zależności od wymagań klienta. Ponadto wykazuje wyjątkową stabilność mechaniczną, wytrzymując ciśnienie i wibracje.

Średnica		150 ± 2,0 mm (6 cali)
Grubość		350 μm ± 25 μm
Orientacja		Na osi: <0001>±0,5°		Poza osią: 4,0° w kierunku 1120±0,5°
Polityp		4H
Rezystywność (Ω·cm)	4H-N	0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025 oma·cm
	4/6H-SI	>1E5
Podstawowa orientacja płaska		{10-10}±5,0°
Podstawowa długość płaska (mm)		47,5 mm±2,5 mm
Krawędź		Ścięcie
TTV/łuk/osnowa (um)		≤15 /≤40 /≤60
Przód AFM (powierzchnia Si)		Polski Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,5 nm
LTV		≤3μm (10mm*10mm)	≤5μm (10mm*10mm)		≤10μm (10mm*10mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Skórka pomarańczowa/pestki/pęknięcia/zanieczyszczenia/plamy/prążki		Nic	Nic		Nic
wcięcia		Nic	Nic		Nic

6-calowe podłoże monokrystaliczne z węglika krzemu jest materiałem o wysokiej wydajności, szeroko stosowanym w przemyśle półprzewodników, badaniach i optoelektronice. Zapewnia doskonałą przewodność cieplną, stabilność mechaniczną i odporność na wysoką temperaturę, dzięki czemu nadaje się do wytwarzania urządzeń elektronicznych dużej mocy i badań nad nowymi materiałami. Oferujemy różne specyfikacje i opcje dostosowywania, aby sprostać różnorodnym wymaganiom klientów.Skontaktuj się z nami, aby uzyskać więcej informacji na temat płytek z węglika krzemu!