4-calowe płytki SiC 6H półizolacyjne podłoża SiC klasy podstawowej, badawczej i pozornej
Specyfikacja produktu
Stopień | Zero MPD klasa produkcyjna (klasa Z) | Standardowa klasa produkcyjna (klasa P) | Stopień manekina (stopień D) | ||||||||
Średnica | 99,5 mm~100,0 mm | ||||||||||
4H-SI | 500 μm±20 μm | 500 μm±25 μm | |||||||||
Orientacja wafli |
Poza osią: 4,0° w kierunku < 1120 > ±0,5° dla 4H-N, Na osi: <0001>±0,5° dla 4H-SI | ||||||||||
4H-SI | ≤1 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ||||||||
4H-SI | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
Podstawowa orientacja płaska | {10-10} ±5,0° | ||||||||||
Długość płaska podstawowa | 32,5 mm±2,0 mm | ||||||||||
Długość dodatkowa płaska | 18,0 mm±2,0 mm | ||||||||||
Wtórna orientacja płaska | Silikonowa powierzchnia do góry: 90° CW. od powierzchni gruntującej ±5,0° | ||||||||||
Wykluczenie krawędzi | 3 mm | ||||||||||
LTV/TTV/Łuk/Osnowa | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||||||||
Chropowatość | Twarz C | Polski | Ra≤1 nm | ||||||||
Si face | CMP | Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||||||
Pęknięcia krawędzi spowodowane światłem o dużej intensywności | Nic | Długość skumulowana ≤ 10 mm, pojedyncza długość ≤2 mm | |||||||||
Płyty sześciokątne światłem o wysokiej intensywności | Powierzchnia skumulowana ≤0,05% | Powierzchnia skumulowana ≤0,1% | |||||||||
Obszary politypowe za pomocą światła o wysokiej intensywności | Nic | Łączna powierzchnia ≤3% | |||||||||
Widoczne wtrącenia węglowe | Powierzchnia skumulowana ≤0,05% | Łączna powierzchnia ≤3% | |||||||||
Zarysowania powierzchni krzemu spowodowane światłem o dużej intensywności | Nic | Łączna długość ≤1*średnica płytki | |||||||||
Wysokie natężenie światła na krawędziach | Niedozwolone. Szerokość i głębokość ≥0,2 mm. | 5 dozwolonych, ≤1 mm każdy | |||||||||
Zanieczyszczenie powierzchni krzemem przez wysoką intensywność | Nic | ||||||||||
Opakowanie | Kaseta na wiele płytek lub pojemnik na pojedyncze płytki |
Szczegółowy diagram


Powiązane produkty
Napisz tutaj swoją wiadomość i wyślij ją do nas