4-calowy wafel szafirowy C-Plane SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
Aplikacje
● Podłoże wzrostowe dla związków III-V i II-VI.
● Elektronika i optoelektronika.
● Aplikacje IR.
● Układ scalony krzemowo-szafirowy (SOS).
● Układ scalony częstotliwości radiowej (RFIC).
W produkcji diod LED, płytki szafirowe służą jako podłoże do wzrostu kryształów azotku galu (GaN), które emitują światło pod wpływem prądu elektrycznego. Szafir jest idealnym podłożem do wzrostu GaN, ponieważ ma podobną strukturę krystaliczną i współczynnik rozszerzalności cieplnej do GaN, co minimalizuje defekty i poprawia jakość kryształu.
W optyce płytki szafirowe wykorzystuje się jako okna i soczewki w środowiskach o wysokim ciśnieniu i wysokiej temperaturze, a także w systemach obrazowania w podczerwieni ze względu na ich wysoką przejrzystość i twardość.
Specyfikacja
| Przedmiot | 4-calowe płytki szafirowe C-plane(0001) 650 μm | |
| Materiały kryształowe | 99,999%, wysoka czystość, monokrystaliczny Al2O3 | |
| Stopień | Prime, gotowy na Epi | |
| Orientacja powierzchni | Płaszczyzna C(0001) | |
| Płaszczyzna C odchylona od kąta w kierunku osi M 0,2 +/- 0,1° | ||
| Średnica | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| Grubość | 650 mikrometrów +/- 25 mikrometrów | |
| Podstawowa orientacja płaska | Płaszczyzna A (11-20) +/- 0,2° | |
| Długość płaska podstawowa | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
| Jednostronnie polerowane | Powierzchnia przednia | Polerowane epitaksjalnie, Ra < 0,2 nm (metodą AFM) |
| (SSP) | Powierzchnia tylna | Drobno zmielony, Ra = 0,8 μm do 1,2 μm |
| Dwustronnie polerowane | Powierzchnia przednia | Polerowane epitaksjalnie, Ra < 0,2 nm (metodą AFM) |
| (DSP) | Powierzchnia tylna | Polerowane epitaksjalnie, Ra < 0,2 nm (metodą AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| UKŁON | < 20 μm | |
| OSNOWA | < 20 μm | |
| Czyszczenie / Pakowanie | Czyszczenie pomieszczeń czystych klasy 100 i pakowanie próżniowe, | |
| 25 sztuk w opakowaniu kasetowym lub pojedynczo. | ||
Pakowanie i wysyłka
Ogólnie rzecz biorąc, dostarczamy opakowania w postaci kaset zawierających 25 sztuk; możemy również pakować pojedyncze płytki w pojemnikach w pomieszczeniu czyszczącym o klasie czystości 100, zgodnie z wymaganiami klienta.
Szczegółowy diagram
