Podłoże
-
Cienkowarstwowy termiczny wafel krzemowy SiO2 4 cale 6 cali 8 cali 12 cali
-
Podłoże krzemowo-izolacyjne, trójwarstwowy wafer SOI do mikroelektroniki i zastosowań radiowych
-
Izolator wafli SOI na krzemowych waflach SOI (Silicon-On-Insulator) o średnicy 8 i 6 cali
-
6-calowy wafer epitaksji SiC typu N/P, dostosowany do indywidualnych potrzeb
-
Płytka ceramiczna z tlenku glinu o czystości 4 cale, polikrystaliczna, 99%, odporna na zużycie, grubość 1 mm
-
Wafel z dwutlenku krzemu Wafel SiO2 gruby polerowany, klasa podstawowa i testowa
-
Podłoże SiC 200 mm, płytka SiC 4H-N o średnicy 8 cali, imitacja
-
4-calowe płytki SiC 6H półizolacyjne podłoża SiC klasy podstawowej, badawczej i pozornej
-
6-calowy wafel podłoża HPSI SiC Węglik krzemu Półizolacyjne wafle SiC
-
4-calowe półizolacyjne płytki SiC Podłoże HPSI SiC Prime Production grade
-
3-calowa płytka podłoża 4H-Semi SiC o grubości 76,2 mm, z węglika krzemu, półizolacyjne płytki SiC
-
Podłoża SiC o średnicy 3 cali i 76,2 mm, HPSI Prime Research i Dummy