Linia automatyzacji czteroetapowego polerowania płytek krzemowych/węglika krzemu (SiC) (zintegrowana linia obsługi po polerowaniu)
Szczegółowy diagram
Przegląd
Ta czterostopniowa linia do automatyzacji polerowania to zintegrowane rozwiązanie liniowe przeznaczone do:po polsku / po CMPoperacjekrzemIwęglik krzemu (SiC)opłatki. Zbudowany wokółnośniki ceramiczne (płytki ceramiczne)System łączy wiele zadań realizowanych w dół łańcucha dostaw w jedną skoordynowaną linię produkcyjną, pomagając fabrykom ograniczyć ręczną obsługę, ustabilizować czas taktu i wzmocnić kontrolę zanieczyszczeń.
W produkcji półprzewodników,skuteczne czyszczenie po CMPjest powszechnie uznawany za kluczowy krok w celu zmniejszenia liczby defektów przed kolejnym procesem, a zaawansowane podejścia (w tymczyszczenie megasoniczne) są powszechnie omawiane w kontekście poprawy wydajności usuwania cząstek.
W szczególności w przypadku SiCwysoka twardość i obojętność chemicznasprawiają, że polerowanie staje się trudne (często wiąże się z niską szybkością usuwania materiału i wyższym ryzykiem uszkodzenia powierzchni/podpowierzchni), co sprawia, że stabilna automatyzacja po polerowaniu i kontrolowane czyszczenie/obsługa są szczególnie cenne.
Kluczowe korzyści
Pojedyncza zintegrowana linia obsługująca:
-
Separacja i zbiórka płytek(po polerowaniu)
-
Nośnik ceramiczny buforujący/magazynujący
-
Czyszczenie nośnika ceramicznego
-
Montaż wafli (wklejanie) na nośnikach ceramicznych
-
Skonsolidowana, jednoliniowa operacja dlaWafle o średnicy 6–8 cali
Dane techniczne (z dostarczonego arkusza danych)
-
Wymiary sprzętu (dł. × szer. × wys.):13643 × 5030 × 2300 mm
-
Zasilacz:Prąd zmienny 380 V, 50 Hz
-
Całkowita moc:119 kW
-
Czystość montażu:0,5 μm < 50 szt.; 5 μm < 1 szt.
-
Płaskość montażu:≤ 2 μm
Odniesienie do przepustowości (z dostarczonego arkusza danych)
-
Wymiary sprzętu (dł. × szer. × wys.):13643 × 5030 × 2300 mm
-
Zasilacz:Prąd zmienny 380 V, 50 Hz
-
Całkowita moc:119 kW
-
Czystość montażu:0,5 μm < 50 szt.; 5 μm < 1 szt.
-
Płaskość montażu:≤ 2 μm
Typowy przepływ liniowy
-
Wejście/interfejs z obszaru polerowania w górę rzeki
-
Separacja i zbiórka płytek
-
Buforowanie/przechowywanie nośników ceramicznych (odsprzęganie w czasie taktu)
-
Czyszczenie nośnika ceramicznego
-
Montaż wafli na nośnikach (z kontrolą czystości i płaskości)
-
Wyjście do dalszego procesu lub logistyki
Często zadawane pytania
P1: Jakie problemy rozwiązuje przede wszystkim ta linia?
A: Usprawnia operacje po polerowaniu poprzez integrację separacji/zbierania płytek, buforowania nośników ceramicznych, czyszczenia nośników i montażu płytek w jednej skoordynowanej linii automatyzacji — redukując liczbę punktów ręcznych i stabilizując rytm produkcji.
P2: Jakie materiały i rozmiary płytek są obsługiwane?
A:Krzem i SiC,6–8 caliwafli (zgodnie z podaną specyfikacją).
P3: Dlaczego w branży kładzie się tak duży nacisk na czyszczenie po zabiegu CMP?
A: Literatura branżowa podkreśla, że wzrosło zapotrzebowanie na skuteczne czyszczenie po procesie CMP w celu zmniejszenia gęstości defektów przed kolejnym etapem; w celu usprawnienia usuwania cząstek powszechnie bada się podejścia oparte na działaniu megadźwięków.
O nas
Firma XKH specjalizuje się w rozwoju, produkcji i sprzedaży zaawansowanych technologicznie specjalistycznych szkieł optycznych i nowych materiałów kryształowych. Nasze produkty znajdują zastosowanie w elektronice optycznej, elektronice użytkowej oraz w wojsku. Oferujemy komponenty optyczne z szafiru, obudowy soczewek do telefonów komórkowych, ceramikę, płytki LT, węglik krzemu SIC, kwarc oraz kryształy półprzewodnikowe. Dzięki specjalistycznej wiedzy i najnowocześniejszemu sprzętowi, specjalizujemy się w przetwarzaniu produktów niestandardowych, dążąc do bycia wiodącym przedsiębiorstwem high-tech w branży materiałów optoelektronicznych.












