SiC
-
2-calowe płytki z węglika krzemu, podłoża typu N 6H lub 4H lub półizolacyjne podłoża SiC
-
Podłoże SiC 4H-N 4 cale, płytka produkcyjna z węglika krzemu, gatunek badawczy
-
6-calowe 150-milimetrowe płytki węglika krzemu SiC typu 4H-N do badań produkcyjnych MOS lub SBD oraz do zastosowań pozornych
-
8-calowy 200-milimetrowy wafel SiC 4H-N, przewodzący, klasa badawcza
-
2-calowe płytki z węglika krzemu, podłoża typu N 6H lub 4H lub półizolacyjne podłoża SiC